Chiang Mai Journal of Science

Pentacene  OTFTs  have  been  successfully  reported  using  Pr₂O₃  as  a  gate  insulator. The  use  of  high  dielectric  constant  gate  dielectric  reduces  the  threshold  voltage  of  the  OTFTs  bellow-1V. The  technique  high  temperature  O₂  annealing  is  success  fully  used  to  improve  the  surface  geometry  of  Pr₂O₃  films. The  fabricated  OTFTs  gives  very  low  threshold  voltage-0.8V  and  sub-threshold  swing  0.9V/decade. The  calculated  ON-OFF ratio  is  1.2x10⁴  and  mobility  is  0.043cm²/V.s.